4月20日，国产半导体设备厂商拓荆科技股份有限公司(以下简称“拓荆科技”)正式登陆上海证券交易所科创板。

发行价格为71.88元/股，发行数量为3,161.9800万股，成功募资约22.73亿元(扣除发行费用后募集资金净额约为21.28亿元)，相比之前的计划超募了12亿元。

根据此前的招股计划，拓荆科技拟募资月10亿元，主要用于先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目、高端半导体设备扩产项目及补充流动资金。

拓荆科技今日开盘后，股价一度大涨46%，涨至104.96元/股，截至收盘股价回落至92.30元/股，涨幅28.41%，市值116.74亿元。

助力半导体薄膜沉积设备国产化

据招股书显示，拓荆科技成立于2010年4月，主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务。公司聚焦的半导体薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成晶圆制造三大核心设备，也是目前国内唯一一家产业化应用的集成电路PECVD、SACVD设备厂商。

拓荆科技主要产品包括等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、原子层沉积(ALD)设备和次常压化学气相沉积(SACVD)设备三个产品系列，并已广泛应用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，在不同种类芯片制造产线的多道工艺中得到商业化应用，同时公司已展开10nm及以下制程产品验证测试，公司在研产品已发往国际领先晶圆厂参与其先进制程工艺研发。

凭借长期的技术研发和工艺积累，拓荆科技成为较早打破国际巨头技术垄断局面的企业。公司100%自主知识产权研制的PECVD设备，是国内唯一能够应用于大规模集成电路生产线的12英寸全自动PEVCD设备，已用于28nm的集成电路的批量生产，同时具有14-10nm的技术的延展性，产品性能指标表现达到了世界先进水平。

此外，拓荆科技还建成了我国首个半导体薄膜设备生产基地，总建筑面积40,000平方米，包括研发及生产用十级，百级和千级无尘洁净间。按照发展规划，公司将开展配适10nm以下制程的PECVD产品研发;开发Thermal ALD 和大腔室PE ALD;同时升级SACVD设备，研发12英寸满足28nm以下制程工艺需要的SACVD设备。

不过，需要指出的是，与中国大陆半导体专用设备企业相比，国际巨头企业拥有客户端先发优势，产品线丰富、技术储备深厚、研发团队成熟、资金实力较强等优势，国际巨头还能为同时购买多种产品的客户提供捆绑折扣。

从全球市场份额来看，薄膜沉积设备行业呈现出高度垄断的竞争局面，行业 基本由应用材料(AMAT)、ASMI、泛林半导体(Lam)、东京电子(TEL)等国际巨头垄断。2019 年，ALD 设备龙头东京电子(TEL)和先晶半导体(ASMI) 分别占据了 31%和 29%的市场份额，剩下 40%的份额由其他厂商占据;而应用 材料(AMAT)则基本垄断了 PVD 市场，占 85%的比重，处于绝对龙头地位;在 CVD 市场中，应用材料(AMAT)全球占比约为 30%，连同泛林半导体(Lam) 的 21%和 TEL 的 19%，三大厂商占据了全球 70%的市场份额。