5月9日，最新消息称，全球最大半导体代工厂台积电已经决定上马1.4nm工艺，团队主要由之前研发3nm工艺的队伍组成，下个月将会确认，进入第一阶段TV0开发，主要是制定1.4nm的技术规格。

在高精尖芯片工艺方面，台积电有多手准备，目前的3nm计划在今年下半年开始小规模量产，2nm工艺还处在建设过程，技术研发已经差不多了，预计2024年开始试产，大规模量产估计要等到2026年了。

据了解，1nm这个工艺节点被认为是摩尔定律的物理极限，制造起来相当困难，而1.4nm已经进入1nm的工艺范畴，无论是制造设备、材料，还是工艺路线都需要全面升级，即便是2nm已经实现了大规模量产，恐怕1.4nm也需要再等个几年。

此前，三星将会在3nm这个节点中采用全新的GAA FET工艺来提高技术领先地位，实现“弯道超车”，现在已经成功流片，而台积电方面依旧使用FinFET，可能到2nm节点才会使用GAA架构。目前可以确定的是，GAA架构相比于FinFET有着更好的静电特性，尺寸也可以进一步微缩，适合发展密度更高的晶体管。

半导体进入10nm节点工艺后，能玩得起的公司主要就是台积电、三星和英特尔了，如今半导体代工行业里，占据份额最高，工艺制程最先进的还属台积电。有分析师称，Intel会在2025年凭借18A工艺实现超越。虽然台积电目前还处于领先地位，但三星、英特尔追赶的速度很快，要保持行业优势，或许只能朝着更先进工艺进发。

不出意外，苹果、英特尔还是第一批吃上台积电最先进工艺制程的大客户，安卓阵营可能需要等三星3nm GAA工艺落地。不论如何，工艺制程对性能、能效比等方面的提升还是很明显的。

当然了，现在谈论1.4nm还为时过早，3nm的良率、生产规模尚未成熟，2nm就更别提了。就算1.4nm研发十分顺利，可能也要等到2028年，而且小雷预计2nm、1.4nm这两个节点的芯片，代工成本都会有所上涨。