在科学技术高度发达的今天，各种各样的高科技出现在我们的生活中，为我们的生活带来便利，那么你知道这些高科技可能会含有的去耦电容吗?

前段时间有跟大家分享过去耦电容的有效使用方法——“要点一”使用多个去耦电容，今天为大家继续介绍“要点二”降低电容的ESL(等效串联电感)

在电路板布线上采取措施，使信号线的杂散电容降到最小;

去耦电容的有效使用方法的第二个要点是降低电容的ESL(即等效串联电感)。虽说是“降低ESL”，但由于无法改变单个产品的ESL本身，因此这里是指“即使容值相同，也要使用ESL小的电容”。通过降低ESL，可改善高频特性，并可更有效地降低高频噪声。

另一种方法是设法降低供电电源的内阻，使尖峰电流不至于引起过大的电源电压波动;

即使容值相同也要使用尺寸较小的电容

对于积层陶瓷电容(MLCC)，有时会准备容值相同但尺寸不同的几个封装。ESL取决于引脚部位的结构。尺寸较小的电容基本上引脚部位也较小，通常ESL较小。

通常的作法是使用去耦电容来滤波，一般是在电路板的电源入口处放一个1uF～10uF的去耦电容，滤除低频噪声;在电路板内的每一个有源器件的电源和地之间放置一个0.01uF～0.1uF的去耦电容(高频滤波电容)，用于滤除高频噪声。

下图是容值相同、大小不同的电容的频率特性示例。如图所示，更小的1005尺寸的谐振频率更高，在之后感性区域的频率范围阻抗较低。这正如在“电容的频率特性”中所介绍的，电容的谐振频率是基于以下公式的，从公式中可见，只要容值相同，ESL越低谐振频率越高。另外，感性区域的阻抗特性取决于ESL，这一点也曾介绍过。

滤波的目的是要滤除叠加在电源上的交流干扰，但并不是使用的电容容量越大越好，因为实际的电容并不是理想电容，不具备理想电容的所有特性。

关于噪声对策，当需要降低更高频段的噪声时，可以选择尺寸小的电容。积层陶瓷电容中，有些型号采用的是旨在降低ESL的形状和结构。如上图所示，普通电容的电极在短边侧，而LW逆转型的电极则相反，在长边侧。由于L(长度)和W(宽度)相反，故称“LW逆转型”。是通过增加电极的宽度来降低ESL的类型。

去耦电容的选取可按C=1/F计算，其中F为电路频率，即10MHz取0.1uF，100MHz取0.01uF。一般取0.1~0.01uF均可。

三端电容是为了改善普通电容(两个引脚)的频率特性而优化了结构的电容。三端电容是将双引脚电容的一个引脚(电极)的另一端向外伸出作为直通引脚，将另一个引脚作为GND引脚。在上图中，输入输出电极相当于两端伸出的直通引脚，左右的电极当然是导通的。这种输入输出电极(直通引脚)和GND电极间存在电介质，起到电容的作用。

放置在有源器件傍的高频滤波电容的作用有两个，其一是滤除沿电源传导过来的高频干扰，其二是及时补充器件高速工作时所需的尖峰电流。所以电容的放置位置是需要考虑的。

将输入输出电极串联插入电源或信号线(将输入输出电极的一端连接输入端，另一端连接输出端)，GND电极接地。这样，由于输入输出电极的ESL不包括在接地端，因此接地的阻抗变得非常低。另外，输入输出电极的ESL通过在噪声路径直接插入，有利于降低噪声(增加插入损耗)。

以上就是去耦电容的一些值得大家学习的详细资料解析，希望在大家刚接触的过程中，能够给大家一定的帮助，如果有问题，也可以和小编一起探讨。