在科学技术飞速发展的今天，人们的生活越来越离不开电子产品，而电子元器件的多样性也促进了电子产品的发展，比如全SiC功率模块，那么你知道什么是全SiC功率模块吗?

BSM250D17P2E004，1700V耐压产品的需求高涨，采用新的芯片涂覆材料和工艺方法，绝缘击穿，高温高湿反偏试验，HV-H3TRB，导通电阻降低10%。

ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模块”量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。

ROHM面向以户外发电系统和充放电测试仪等评估装置为首的工业设备用电源的逆变器和转换器，开发出实现行业领先*可靠性的、额定值保证1700V/250A的全SiC功率模块“BSM250D17P2E004”。

目前，ROHM正在量产的全SiC功率模块是二合一型模块，包括半桥型和升压斩波型两种。另外产品阵容中还有搭载NTC热敏电阻的产品类型。

近年来，由于SiC产品的节能效果优异，以1200V耐压为主的SiC产品在汽车和工业设备等领域的应用日益广泛。系统呈高电压化发展趋势，1700V耐压产品的需求日益旺盛。然而，1700V耐压产品受可靠性等因素影响，迟迟难以推出SiC产品，目前主要使用IGBT。

最新的全SiC功率模块采用最新的SiC-MOSFET-(即第三代沟槽结构SiC-MOSFET)，以进一步降低损耗。

此次开发的1700V模块采用新涂覆材料和新工艺方法，成功地预防了绝缘击穿，并抑制了漏电流的增加。另外，在高温高湿反偏试验中，呈现出极高可靠性，超过1，000小时也未发生绝缘击穿现象，从而成功推出了额定值保证1700V/250A的全SiC功率模块。

以上就是电子产品中可能用到的全SiC功率模块的详细介绍，希望通过阅读本文，能给大家一定的收获，帮助大家更快提高专业知识。