新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技术与有源可控硅(SCR)技术，USB4TM和Thunderbolt接口设计工程师将会特别感兴趣。该器件可实现极低电容(低至0.1 pF);极低钳位电压 动态电阻低至0.1 Ω)以及非常稳健的防浪涌与ESD性能(，最高可达20A 8/20 µs)。PESD2V8R1BSF采用超低电感SOD962封装。

Nexperia产品经理Stefan Seider评论道：“为避免信号完整性问题，PESD2V8R1BSF ESD保护二极管提供极低的插入损耗和相应的低回波损耗，在10 GHz时分别为-0.21 dB和-17.4 dB。该ESD保护器件可满足USB 3.2的较高电压要求。这意味着，该器件可放置在USB Type-C®连接器后面，用于保护耦合电容，同时仍与USB3.2向后兼容。”

TrEOS保护二极管采用非常紧凑、非常可靠的DSN0603-2 (SOD962)封装。