韩国存储器大厂SK海力士25日公布2019年第2季的获利状况，因为受到存储器价格持续低迷，以及日韩贸易摩擦等因素的冲击，净获利较2018年同期大降了88%之多，使得SK海力士不得不继三星传出要延后平泽P2存储器产线的投资之后，也宣布该公司的生产调整计划。

根据SK海力士所公布的资料显示，2019年第2季的营收为6.5万亿韩元，较2019年下滑38%。营业利益则是来到6,380亿韩元，较2018年同期大幅下滑了89%。净利则是来到5,370亿韩元，较2018年同期的4.3万亿韩元大跌了88%，也低于市场原本预估的8,280亿韩元的金额。

Source：SK海力士

面对2019年第2季成绩单，再加上接下来市场有更多不确定因素围绕之下，SK海力士也宣布，2020年的资本支出将会明显低于2019年。

除此之外，在DRAM产能部分，将自2019年第4季开始下调，至于NAND Flash快闪存储器方面，产能的减幅也会从之前宣布的10%，扩大至15%的比率。而SK海力士的调整产能计划，也将连带重新审视韩国两座晶圆厂的扩产时间。

SK海力士表示，在DRAM方面，由于SK海力士积极的因应行动和PC市场对大容量产品日益增加的需求，DRAM bit出货较上季增加了13%，但是在市场价格持续疲软的情况之下，平均销售价格下降了24%。

另外，2019下半年服务器DRAM需求依然低迷，行动型DRAM市场的不确定性增加。然而，PC对图形DRAM的需求从2019年第2季末开始恢复，预计这种趋势将延续到下半年。

而在NAND Flash快闪存储器方面，因为NAND Flash快闪存储器价格下跌后，刺激需求复苏，bit出货量较第1季成长40%，但平均销售价格下降了25%。预计到2019下半年，随着市场需求的复苏，将加快原厂库存消耗，有助于平衡供需失衡的市况，同时也将减缓价格下滑的速度。

至于，在存储器的技术发展上，SK海力士指出，计划继续开发下一代技术，并大量销售高附加值的产品。其中，DRAM将由10纳米级第一代的1x纳米，向第二代的1y纳米技术精进，到2019年底前生产比例将增加到80%，并开始在下半年销售PC市场所需的10纳米级第二代1y纳米DRAM。

而NAND Flash方面，目前主要技术是72层堆叠的3D NAND Flash，计划在2019下半年透过增加96层4D NAND Flash的比例，专注于高端智能手机和SSD市场需求。此外，128GB(1Tb)TLC 4D NAND将开始大规模生产和销售。