如何使用 Silent Switcher 稳压器实现低噪声呐，磁场抵消，虽然不可能完全消除热回路区域，但是我们可以将热回路分成极性相反的两个回路。这可以有效地形成局部磁场，这些磁场在距 IC 任意位置都可以有效地相互抵消。这就是 Silent Switcher 稳压器背后的概念。

图1. Silent Switcher 稳压器中的磁场抵消

倒装芯片取代键合线

改善 EMI 的另一种方法是缩短热回路中的导线。这可以通过放弃将芯片连接至封装引脚的传统键合线方法来实现。在封装中倒装硅芯片，并添加铜柱。通过缩短内部 FET 到封装引脚和输入电容的距离，可以进一步缩小热回路的范围。

图 2. LT8610 键合线的拆解示意图

图 3. 带有铜柱的倒装芯片

图 4. 典型的 Silent Switcher 应用原理图及其在 PCB 上的外观

图 4 显示了使用 Silent Switcher 稳压器的一个典型应用，可通过两个输入电压引脚上的对称输入电容来识别。布局在该方案中非常重要，因为 Silent Switcher 技术要求尽可能将这些输入电容对称布置，以便发挥场相互抵消的优势。否则，将丧失 SilentSwitcher 技术的优势。当然，问题是如何确保在设计及整个生产过程中的正确布局。答案就是 Silent Switcher 2 稳压器。

Silent Switcher 2

Silent Switcher 2 稳压器能够进一步减少 EMI。通过将电容 VIN 电容、 INTVCC 和升压电容)集成到 LQFN 封装中，消除了 EMI 性能对 PCB 布局的敏感性，从而可以放置到尽可能靠近引脚的位置。所有热回路和接地层都在内部，从而将 EMI 降至最低，并使解决方案的总占板面积更小。

Silent Switcher 2 技术还可以改善热性能。LQFN 倒装芯片封装上的多个大尺寸接地裸露焊盘有助于封装通过 PCB 散热。消除高电阻键合线还可以提高转换效率。在进行 EMI 性能测试时， LT8640S 能满足 CISPR 25 Class 5 峰值限制要求，并且具有较大的裕量。